MS35629
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碳化硅MOSFET具有优秀的高频、高压、高温性能,是目前电力电子领域最受关注的宽禁带功率半导体器件。在电力电子系统中应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件,可提高功率回路开关频率,提升系统效率及功率密度,降低系统综合成本。
基本半导体第三代碳化硅MOSFET系列产品基于6英寸晶圆平台开发,比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
应用领域:新能源汽车电机控制器、车载电源、光伏逆变器、光储一体机、充电桩、UPS、PFC电源等领域。

产品优势
| 更低比导通电阻 | 更低开关损耗 | 更高可靠性 | 更高工作结温 |

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碳化硅MOSFET
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2QD30A17K-I-xx
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